Το ερευνητικό τμήμα της IBM ανέπτυξε μια νέα τεχνική, η οποία μπορεί να εφαρμοστεί στις υπάρχουσες μηχανές παραγωγής τσιπ για να μειώσει στο μισό το πλάτος των κυκλωμάτων. Αυτό θα αυξήσει οι επιδόσεις χωρίς υπερβολική άνοδο του κόστους.
Η νέα μέθοδος, μια μορφή της «λιθογραφίας εμβάπτισης», επιτρέπει τη χάραξη στο πυρίτιο γραμμών που απέχουν μόλις 29,9 νανόμετρα (δισεκατομυριοστά του μέτρου). Η βιομηχανία ημιαγωγών μόλις τώρα περνά στην κατασκευαστική τεχνολογία των 65 νανομέτρων και μέχρι σήμερα οι ειδικοί πίστευαν ότι η μέθοδος της λιθογραφίας δεν θα μπορούσε να ξεπεράσει το όριο των 32 νανομέτρων.
«Ο κόσμος δεν πίστευε ότι είναι εφικτό» σχολιάζει στο Γαλλικό Πρακτορείο ο εκπρόσωπος της IBM. «Τώρα, είμαστε σίγουροι ότι είναι». Το επίτευγμα σημαίνει ότι τα τσιπ μπορούν να γίνουν μικρότερα, να περιέχουν δηλαδή περισσότερα τρανσίστορ ανά μονάδα επιφάνειας.
Στη λιθογραφία εμβάπτισης, εξηγεί το CNet.com, οι δίσκοι πυριτίου βυθίζονται μέσα σε νερό ή κάποιο άλλο υγρό. Κινούμενες ακτίνες λέιζερ προβάλλουν το σχέδιο του κυκλώματος στο πυρίτιο και το αποτύπωμα γίνεται μόνιμο με χημική κατεργασία, περίπου όπως συμβαίνει στην εκτύπωση φωτογραφιών.
Το χρησιμοποιούμενο υγρό έχει μεγαλύτερο συντελεστή διάθλασης από τον αέρα, αυξάνοντας έτσι την οξύτητα των γραμμών του κυκλώματος. Το υπεριώδες λέιζερ που χρησιμοποιείται έχει πολύ μικρό μήκος κύματος, μικραίνοντας έτσι το πάχος των καλωδιώσεων στο τσιπ.
Αν και η λιθογραφία εμβάπτισης χρησιμοποιείται πειραματικά και από άλλες εταιρείες, η παραλλαγή που ανακοίνωσε η IBM είναι η πρώτη που δίνει τόσο εντυπωσιακά αποτελέσματα.
Η εταιρεία εκτιμά ότι η μέθοδος μπορεί να εφαμοστεί στα σημερινά συστήματα λιθογραφίας, τα οποία κοστίζουν έως και 15 εκατομμύρια δολάρια έκαστο. Στο απώτερο μέλλον, όταν έχουν αναπτυχθεί καλύτερα διαλύματα και οπτικά συστήματα, η λιθοραφία εμβάπτισης ίσως φτάσει τα 22 νανόμετρα.
Στο μεταξύ, πάντως, σημειώνονται βελτιώσεις και στις τεχνικές άλλων κατασκευαστών. Η AMD και η Intel επενδύουν περισσότερο στη λθογραφία υπεριώδους λέιζερ, με την Intel να σκοπεύει να χρησιμοποιήσει την μέθοδο για τσιπ των 32 νανομέτρων στο τέλος της δεκαετίας.